AVD:原子气相沉积

“原子气相沉积”(Atomic Vapor Deposition,常缩写为AVD)是一种材料表面处理技术,通过气相反应在基底上沉积原子或分子以形成薄膜。由于该术语在书写与交流中使用频繁,通常简称为AVD以提升效率。它广泛应用于材料科学、半导体及纳米技术等多个综合性领域,属于尚未严格分类的交叉研究方向。

Atomic Vapor Deposition具体释义

  • 英文缩写:AVD
  • 英语全称:Atomic Vapor Deposition
  • 中文意思:原子气相沉积
  • 中文拼音:yuán zǐ qì xiāng chén jī
  • 相关领域avd 未分类的

Atomic Vapor Deposition的英文发音

例句

  1. Atomic hydrogen plays important roles in chemical vapor deposition of functional materials, plasma etching, and surface cleaning.
  2. 在化学气相沉积功能材料等离子体刻蚀及表面处理等过程中,氢原子起着非常重要的作用。
  3. Various growth techniques of ZnO thin films, including magnetro sputtering, chemical vapor deposition, spray pyrolysis, sol gel processing, pulsed laser deposition, molecular beam epitaxy, atomic layer epitaxy and metal organic chemical vapor deposition were reviewed.
  4. 详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原子层外延生长法。
  5. Chemical beam epitaxy, atomic layer epitaxy, migration enhanced epitaxy, selective area epitaxy, laser-assisted epitaxy and low temperature Si epitaxy are new ultrathin epitaxial techniques developed based on molecular beam epitaxy and metallorganic chemical vapor deposition.
  6. 化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。