SCE：短通道效应

“短通道效应”（Short Channel Effect，简称SCE）是电子工程与半导体物理领域的重要概念，常缩写为SCE以便于学术交流和文献书写。这一术语描述了当MOSFET等器件的沟道长度缩短到一定程度时，由电场增强引起的器件性能变化现象，对集成电路微型化设计具有关键影响。

Short Channel Effect具体释义

  • 英文缩写：SCE
  • 英语全称：Short Channel Effect
  • 中文意思：短通道效应
  • 中文拼音：duǎn tōng dào xiào yìng
  • 相关领域： sce 电子

Short Channel Effect的英文发音

例句

  1. The model includes the substrate bias effect, the short channel effect and the relation between these two effects.
  2. 它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
  3. It was also shown that the novel device could suppress the short channel effect, drain-induced barrier lowering effect.
  4. 同时用实验结果表明，新结构器件能够有效抑制短沟道效应（SCE）、减小漏感应势垒降低效应（DIBL）等。
  5. An analytical subthreshold surface potential model for the DMG SOI MOSFET with high k gate dielectrics, which accounts for the short channel effect and the fringing field effect, has been developed.
  6. 还研究了高k栅介质对DMGSOIMOSFET的影响，为高k栅介质DMGSOIMOSFET建立了表面势模型，模型中考虑了边缘电场效应和短沟道效应。
  7. Schottky source and drain junctions are a promising structure to minimize the MOSFET short channel effect.
  8. 采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。
  9. The research results indicate that with the increase of the concave corner, the negative junction depth and the doping density of channel, the hot carrier effect immunity is enhanced; the threshold voltage increases and the short channel effect is suppressed.
  10. 研究发现，随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高，器件的抗热载流子能力增强，阈值电压升高，对短沟道效应的抑制作用增强。

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