RTCVD：快速热化学气相沉积

在半导体与微电子等前沿学术研究领域，“快速热化学气相沉积”（Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition，简称RTCVD）是一种重要的材料制备技术。该名称在英文文献中常缩写为RTCVD，以方便学术交流与书面表达，广泛应用于集成电路制造与先进材料研究中。

Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition具体释义

  • 英文缩写：RTCVD
  • 英语全称：Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition
  • 中文意思：快速热化学气相沉积
  • 中文拼音：
  • 相关领域： rtcvd 电子

Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition的英文发音

例句

  1. 以 SSP 为 衬底 ， 采用 快速 热化学 气 相 沉积 （ RTCVD ） 法 生长 多晶硅 薄膜 ， 并 以此 制作 出 效率 为 293% 的 颗粒 硅 带 多晶硅 薄膜 太阳 电池 ， 这 在 国内 属 首先 。
  2. ThepolycrystallinethinfilmsweregrownbyRapidThermalChemicalVaporDeposition(RTCVD)onSSPribbons,andthepolycrystallinesiliconthinfilmsolarcellonSSPsubstratewasprepared.Theefficiencyofthecellreaches293%.
  3. 多晶硅 薄膜 的 快速 热化学 气 相 沉积
  4. Rapidthermalchemicalvapordepositionofpolycrystallinesiliconthinfilms
  5. 在 重 掺杂 非 活性 单晶硅 片 上 生长 一定 厚度 的 SiO2 ， 开 窗口 后 作为 衬底 ， 利用 快速 热化学 气 相 沉积 （ RTCVD ） 及 区 熔 再 结晶 （ ZMR ） 方法 制 备 多晶硅 薄膜 太阳 电池 。
  6. AftergrowingSiO2layerwithacertainthicknessonheavydiffusioninactiveCSiwafer,openingwindows,thenfabricatingpolycrystallinesiliconthinfilmsolarcellsonitwithRapidThermalChemicalVaporDeposition(RTCVD)andZoneMeltRecrystallization(ZMR)method.
  7. 采用 新近 研制 的 高 真空 / 快速 热 处理 / 化学 气 相 淀积 （ HV/RTP/CVD ） 系统 生长 了 应变 SiGe 材料 。
  8. ThestrainedSiGematerialhasbeengrownbyusingthenewlydevelopedHighVacuum/RapidThermalProcessing/ChemicalVaporDeposition(HV/RTP/CVD)system.

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