IGFET：绝缘栅场效应晶体管

绝缘栅场效应晶体管（Insulated-Gate Field-Effect Transistor，常缩写为IGFET）是一种广泛应用于电子工程与半导体技术领域的关键元器件。该术语在学术文献及技术资料中常以缩写形式出现，以简化书写并提升专业表述效率。作为电压控制型半导体器件，IGFET通过调节栅极电压来实现对导电通道的控制，其结构特点在于栅极与沟道之间采用绝缘层隔离，从而具备高输入阻抗、低驱动功耗等优势，常见于集成电路、功率放大及开关电路等应用场景。

Insulated-Gate Field-Effect Transistor具体释义

  • 英文缩写：IGFET
  • 英语全称：Insulated-Gate Field-Effect Transistor
  • 中文意思：绝缘栅场效应晶体管
  • 中文拼音：jué yuán zhà chǎng xiào yìng jīng tǐ guǎn
  • 相关领域： igfet 电子

Insulated-Gate Field-Effect Transistor的英文发音

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