RIBD:反应离子束沉积

“反应离子束沉积”(Reactive Ion Beam Deposition,简称RIBD)是一种在物理学及材料科学领域广泛应用的薄膜制备技术。该技术利用反应性离子束轰击基底材料,实现高精度、高性能薄膜的沉积。为便于学术交流与书面表达,常将其缩写为RIBD,以提升书写与使用的便捷性。

Reactive Ion Beam Deposition具体释义

  • 英文缩写:RIBD
  • 英语全称:Reactive Ion Beam Deposition
  • 中文意思:反应离子束沉积
  • 中文拼音:fǎn yìng lí zǐ shù chén jī
  • 相关领域ribd 物理学

Reactive Ion Beam Deposition的英文发音

例句

  1. Amorphous carbon nitride a-CN. x. thin films are prepared by reactive ion beam sputtering deposition method using N 2 as working gas and a graphite target.
  2. 采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a-CNx薄膜。