DBE：供体结合激子

“供体结合激子”（Donor Bound Exciton，简称DBE）是凝聚态物理学和半导体研究中的常见术语，通常用于描述半导体材料中由施主杂质束缚的激子复合体。这一概念的缩写DBE在学术论文与技术文献中广泛使用，便于快速书写和交流，尤其在讨论光电特性、发光机制及相关器件物理时频繁出现。

Donor Bound Exciton具体释义

  • 英文缩写：DBE
  • 英语全称：Donor Bound Exciton
  • 中文意思：供体结合激子
  • 中文拼音：gōng tǐ jié hé jī zǐ
  • 相关领域： dbe 电子

Donor Bound Exciton的英文发音

例句

  1. Effects of hydrogenic donor impurity position on the binding energy of a bound exciton in ⅲ - nitrides quantum dots
  2. III族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

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