LDD：轻掺杂漏极

“Lightly Doped Drain”在电子学及相关学术领域广泛使用，通常缩写为LDD，以便于快速书写和高效交流。它在半导体器件（如MOSFET）中作为一种关键结构，用于缓解漏极附近电场集中问题，从而提升器件性能。其标准中文译名为“轻掺杂漏极”。

Lightly Doped Drain具体释义

  • 英文缩写：LDD
  • 英语全称：Lightly Doped Drain
  • 中文意思：轻掺杂漏极
  • 中文拼音：qīng chān zá lòu jí
  • 相关领域： ldd 电子

Lightly Doped Drain的英文发音

例句

  1. The lightly doped drain MOSFET made basically by domestic equipment has been described.
  2. 本文描述了以国产设备为基础研制出的轻掺杂漏MOSFET。
  3. Investigation of the Lightly Doped Drain(LDD) ( LDD ) MOSFET Technology
  4. 轻掺杂漏（LDD）MOSFET工艺研究
  5. A new structure of gate_modulated lightly doped drain of TFT was proposed. It is very effective to lower gate_induced drain_leakage current of the TFTs when a higher source drain voltage is applied to it.
  6. 在进一步的研究中，设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区（GMLDD）结构，有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题。
  7. The tested results indicated that the lightly doped drain MOSFET can resist the hot carrier effect and short channel effect effectively, and havs a fast speed.
  8. 测试结果表明，轻掺杂漏MOSFET能够有效地抗热载流子效应及短沟道效应，速度也较快。
  9. For the purpose of reducing off-state current, lightly doped drain ( LDD ) structures were used in a p-Si TFT LCD.
  10. 针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题，采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏，增加晶体管的开关电流比值。

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