BESOI：在绝缘体上粘合和蚀刻硅

“键合与回蚀绝缘体上硅”（Bonded and Etchback Silicon On Insulator）在学术与电子工程领域常简称为BESOI，这一简称便于快速书写与口头交流。该技术是一种先进的半导体材料制备工艺，通过在绝缘衬底上键合硅层并精确蚀刻，以实现优异的器件隔离和性能提升。

Bonded and Etchback Silicon On Insulator具体释义

  • 英文缩写：BESOI
  • 英语全称：Bonded and Etchback Silicon On Insulator
  • 中文意思：在绝缘体上粘合和蚀刻硅
  • 中文拼音：zài jué yuán tǐ shàng nián hé hé shí kè guī
  • 相关领域： besoi 电子

Bonded and Etchback Silicon On Insulator的英文发音

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