HCVD：卤化物化学气相沉积

卤化物化学气相沉积（Halide Chemical Vapor Deposition，简称HCVD）是一种广泛应用于化学与材料科学领域的薄膜制备技术。该技术通过气相化学反应，在基底表面沉积高质量的薄膜材料。HCVD这一缩写形式在学术论文、研究报告和技术文档中被频繁使用，既便于书写和传播，也有利于国际同行间的专业交流。

Halide Chemical Vapor Deposition具体释义

  • 英文缩写：HCVD
  • 英语全称：Halide Chemical Vapor Deposition
  • 中文意思：卤化物化学气相沉积
  • 中文拼音：
  • 相关领域： hcvd 化学

Halide Chemical Vapor Deposition的英文发音

本站英语缩略词为个人收集整理，可供非商业用途的复制、使用及分享，但严禁任何形式的采集或批量盗用

若HCVD词条信息存在错误、不当之处或涉及侵权，请及时联系我们处理：675289112@qq.com。