BOX:掩埋氧化物
在学术和电子工程领域,“Buried OXide”常被缩写为“BOX”,以方便书写和使用。其中文译名为“掩埋氧化物”,这是一种用于半导体器件(如SOI衬底)中的绝缘层结构,起到隔离与支撑作用。
Buried OXide的英文发音
例句
- Trapped charge buildup during irradiation in buried oxide, which dominantly induces back channel leakage, is investigated.
- 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究。
- The2-D potential model of partial buried oxide VDMOS is obtained in paper.
- 提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。
- And next, MEDICI simulation and a numerical model are utilized to simulate the electric field inside the buried oxide and fraction of hole capture, respectively.
- 随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率。
- Buried oxide isolation process
- 隐埋氧化物隔离工艺
- Substituting the electric field distributions into the formula we ve induced, we got the trapped charge distribution inside the buried oxide during total irradiation under different bias states.
- 通过对载流子扩散机理的研究,由数学公式的推导,得到陷阱电荷分布随电场变化的函数关系。
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