VCZ：气压控制直拉式

“Vapor-pressure-controlled Czochralski”是一种在半导体材料制备领域常用的晶体生长技术，常简写为VCZ以方便学术交流和技术文档的书写。其对应的中文术语为“气压控制直拉式”，广泛应用于电子及材料科学领域，旨在通过精确调控气氛压力来优化晶体生长质量。

Vapor-pressure-controlled Czochralski具体释义

  • 英文缩写：VCZ
  • 英语全称：Vapor-pressure-controlled Czochralski
  • 中文意思：气压控制直拉式
  • 中文拼音：qì yā kòng zhì zhí lā shì
  • 相关领域： vcz 电子

Vapor-pressure-controlled Czochralski的英文发音

例句

  1. Growth and Characterization of ⅲ - ⅴ Materials Grown by Vapor-Pressure-Controlled Czochralski Method : Comparison with Standard Liquid-Encapsulated Czochralski Materials
  2. 汽压控制直拉法生长Ⅲ－Ⅴ族材料的生长与特性&与标准液封直拉法材料的比较

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