MCVD：金属化学气相沉积

金属化学气相沉积（Metal Chemical Vapor Deposition，简称MCVD）是一种在电子和材料科学领域中广泛使用的薄膜制备技术。该方法通过气态前驱体在加热基底表面发生化学反应，实现金属薄膜的精确沉积。采用MCVD这一缩写形式，便于学术文献和技术文档中的高效书写与信息交流。

Metal Chemical Vapor Deposition具体释义

  • 英文缩写：MCVD
  • 英语全称：Metal Chemical Vapor Deposition
  • 中文意思：金属化学气相沉积
  • 中文拼音：jīn shǔ huà xué qì xiāng chén jī
  • 相关领域： mcvd 电子

Metal Chemical Vapor Deposition的英文发音

例句

  1. A novel high reflectivity type of semiconductor saturable absorption mirror grown by metal organic chemical vapor deposition is presented.
  2. 利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体：高反射率半导体可饱和吸收镜。
  3. Metal Organic Chemical Vapor Deposition ( MOCVD ) is a key technology in growing thin-films.
  4. 金属有机化学气相沉积（OCVD）一门制备薄膜材料的关键技术。
  5. Based on the analysis of energy loss in a laser diode, we optimize the structure of the laser diode and metal organic chemical vapor deposition ( MOCVD ) growth condition.
  6. 针对半导体激光器的能量损耗情况，设计优化了半导体激光器的结构，改进了材料的金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长条件。
  7. Separate confinement heterostructure strained single quantum well materials were grown by the technology of metal organic chemical vapor deposition ( MOCVD ).
  8. 气相淀积（MOCVD）技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料。
  9. Template growth of gallium nitride nanowires was demonstrated by metal organic chemical vapor deposition ( MOCVD ) with carbon nanotubes as templates in this paper.
  10. 通过金属有机物化学气相沉积方法在碳纳米管模板上生长氮化镓纳米线束。

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