S/D：源极/漏极

在电子学与半导体器件等专业学术领域，人们常将“Source/Drain”简写为“S/D”，以提升书面和口头表达的效率。该术语对应的中文名称为“源极/漏极”，主要用于描述场效应晶体管（FET）等电子元件中的关键电极结构。

Source/Drain具体释义

  • 英文缩写：S/D
  • 英语全称：Source/Drain
  • 中文意思：源极/漏极
  • 中文拼音：yuán jí lòu jí
  • 相关领域： sd 电子

Source/Drain的英文发音

例句

  1. Based on the charge control theory, an accurate analytical model for the dc I V characteristics and small signal parameters of an AlGaN / GaN high electron mobility transistor ( HEMT ) is developed considering the effects of polarization and parasitic source drain resistances.
  2. 基于电荷控制理论，考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响，建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流IV特性和小信号参数的解析模型。
  3. A new structure of gate_modulated lightly doped drain of TFT was proposed. It is very effective to lower gate_induced drain_leakage current of the TFTs when a higher source drain voltage is applied to it.
  4. 在进一步的研究中，设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区（GMLDD）结构，有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题。
  5. And the relationship between the source drain current and the split-gate voltage; and how to find the cut off voltage of the quasi-1D electron channel;
  6. 研究准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负偏压的关系，以找到分裂门的钳断点电压；
  7. From the quoted equation for the current between source and drain Ids of the sub-threshold MOSFET, the expression for the voltage between gate and source drain Vgs of the sub-threshold MOSFET is directly got and the temperature characteristic of Vgs is theoretically analyzed.
  8. 直接从亚阈值MOSFET漏源电流（即亚阈值电流）的方程中，得到亚阈值MOSFET栅源电压表达式，并分析其温度特性。
  9. Source drain Ohmic contacts and Schottky metal system is Ti / Al / Pt / Au and Pt / Au, respectively.
  10. 漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au，肖特基结金属为Pt/Au。

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