LTCVD:低温化学气相沉积
低温化学气相沉积(Low-Temperature Chemical Vapor Deposition,常缩写作LTCVD)是一种应用于电子制造与材料科学领域的先进工艺技术。该缩写形式便于书写和交流,尤其在学术论文和技术文档中使用频繁。该方法在较低温度下实现材料的气相沉积,有助于提高器件性能并降低热预算,广泛应用于半导体、薄膜制备和纳米技术等前沿方向。
Low-Temperature Chemical Vapor Deposition具体释义
Low-Temperature Chemical Vapor Deposition的英文发音
例句
- Low-temperature polycrystalline Si films were fabricated by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiH_4, Ar and H_2 as source gas.
- 以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜。
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