PECVD：等离子体增强化学气相沉积

等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD）是一种广泛用于电子和材料科学领域的薄膜制备技术。采用等离子体辅助反应，该工艺可在较低温度下实现高品质薄膜的沉积，因此在半导体制造、光伏器件和功能涂层中应用普遍。使用缩写PECVD有助于在学术论文和技术文档中实现简洁高效的表达。

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition具体释义

  • 英文缩写：PECVD
  • 英语全称：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • 中文意思：等离子体增强化学气相沉积
  • 中文拼音：děng lí zǐ tǐ zēng qiáng huà xué qì xiāng chén jī
  • 相关领域： pecvd 电子

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition的英文发音

例句

  1. The structure of microcrystalline silicon thin film solar cells prepared by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition, is studied.
  2. 对甚高频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究。
  3. A new plasma diagnostic system with Langmuir probe is designed to measure the plasma parameters in a plasma enhanced chemical vapor deposition ( PECVD ) vacuum coating machine.
  4. 开发了一个朗缪尔探针等离子体诊断系统对PECVD真空镀膜机进行了等离子体参数诊断。
  5. Different structural silicon thin films deposited by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition ( VHF-PECVD ) were studied at the use of purifier or not.
  6. 本文采用VHFPECVD技术制备了不同结构的硅薄膜，分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。
  7. A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition ( VHF-PECVD ) at different silane concentrations in a P chamber.
  8. 在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)（VHF-PECVD）技术，制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜。
  9. Porous silica films were prepared on the glass substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition ( PECVD ) system modulated by pulse negative bias voltage and silane as precursor gas.
  10. 采用由脉冲负偏压调节的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，以硅烷为源气体，在玻璃基片上沉积得到了多孔二氧化硅薄膜。

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