MOS:金属氧化物半导体
“金属氧化物半导体”(Metal Oxide Semiconductor)通常缩写为MOS,这种简写方式在电子学及相关科研领域被广泛采用,便于快速书写和高效交流。作为半导体技术中的基础材料,它在集成电路、晶体管等电子元件的设计与制造中扮演着关键角色。
Metal Oxide Semiconductor具体释义
Metal Oxide Semiconductor的英文发音
例句
- A process comprises that : firstly, the quasi-one-dimensional metal oxide semiconductor nano-material is synthesized;
- 其工艺是:先合成准一维金属氧化物半导体(MOS)纳米材料;
- Water is a compound of hydrogen and oxygen. combined metal oxide semiconductor
- 水是氢和氧的化合物。复合金属氧化物半导体(MOS)
- Combined metal oxide semiconductor intermetallic compound superconductor
- 复合金属氧化物半导体(MOS)金属间化合物超导体
- This invention discloses a trenched metal oxide semiconductor field effect transistor ( MOSFET ) cell.
- 场效应晶体管以及制造场效应晶体管的方法。
- The cross-section conductance formula, which contains the sensing function of grain-boundaries and grain-necks in porous metal oxide semiconductor gas sensing crystals, is proposed.
- 给出了多孔的金属氧化物半导体(MOS)气敏晶体的既含晶粒间界传感作用又含晶粒缩颈传感作用的截面电导公式。
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