MVPE：金属气相外延

“金属气相外延”（Metal Vapor Phase Epitaxy，简称MVPE）是一种材料制备技术，被广泛应用于半导体、光电子和先进材料等综合领域。该缩写形式便于书写和学术交流，常用于科技文献与工程应用中，主要用于在衬底表面生长高质量的单晶薄膜，是材料科学中的重要工艺之一。

Metal Vapor Phase Epitaxy具体释义

  • 英文缩写：MVPE
  • 英语全称：Metal Vapor Phase Epitaxy
  • 中文意思：金属气相外延
  • 中文拼音：jīn shǔ qì xiāng wài yán
  • 相关领域： mvpe 未分类的

Metal Vapor Phase Epitaxy的英文发音

例句

  1. The growth of single crystal AlN films by metal organic vapor phase epitaxy.
  2. 单晶AlN薄膜的金属有机气相外延生长研究。
  3. The AlN films grown by low pressure metal organic vapor phase epitaxy are doped by Si thermal diffusion using Si and SiNx films as diffusion source, and the roles of Si doping on the electrical properties of AlN films.
  4. 采用SiNx和Si为扩散源，对低压金属有机气相外延生长的AlN薄膜进行了Si热扩散掺杂，研究了Si掺杂对AlN薄膜电学性质的影响。
  5. Physical methods include evaporation and sputtering; Chemical methods mainly include molecule beam epitaxy ( MBE ), metal organic chemical vapor deposition ( MOCVD ), hydride vapor phase epitaxy ( HVPE ) and so on.
  6. 物理方法包括各种蒸发和溅射：化学方法主要包括分子束外延（MBE）、金属有机物化学气相沉积（MOCVD）、氢化物气相外延（HVPE）等。

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