MEE：迁移增强外延

“Migration Enhanced Epitaxy”在电子与半导体研究领域中常被缩写为MEE，以方便书写和引用。该方法通过调控原子迁移过程来提升外延生长质量，广泛应用于薄膜材料制备和先进器件开发，中文译作“迁移增强外延”。

Migration Enhanced Epitaxy具体释义

  • 英文缩写：MEE
  • 英语全称：Migration Enhanced Epitaxy
  • 中文意思：迁移增强外延
  • 中文拼音：qiān yí zēng qiáng wài yán
  • 相关领域： mee 电子

Migration Enhanced Epitaxy的英文发音

例句

  1. Chemical beam epitaxy, atomic layer epitaxy, migration enhanced epitaxy, selective area epitaxy, laser-assisted epitaxy and low temperature Si epitaxy are new ultrathin epitaxial techniques developed based on molecular beam epitaxy and metallorganic chemical vapor deposition.
  2. 化学束外延、原子层外延、迁移增强外延(MEE)、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。

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