SEG：选择性外延生长

“选择性外延生长”是一种在半导体制造和微电子领域广泛应用的工艺技术，其英文全称为Selective Epitaxial Growth，常简写为SEG，便于书写和学术交流。该技术主要用于在特定区域控制晶体生长，是实现高性能集成电路的关键工艺之一。

Selective Epitaxial Growth具体释义

  • 英文缩写：SEG
  • 英语全称：Selective Epitaxial Growth
  • 中文意思：选择性外延生长
  • 中文拼音：xuǎn zé xìng wài yán shēng zhǎng
  • 相关领域： seg 电子

Selective Epitaxial Growth的英文发音

例句

  1. Three fabrication processes, including ( I ) wet etching,( ii ) the selective epitaxial growth ( SEG ) on silicon wafers, and ( iii ) using silicon on insulator ( SOI ) wafers, were studied.
  2. 制备中先后尝试了普通硅片湿法腐蚀工艺、选择性外延工艺和利用SOI材料制作三种路线方案。

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