QGD：闸门排水充注
“门极-漏极电荷”（Gate-Drain Charge）在学术和物理学领域常被缩写为QGD，以便于快速书写和引用。它指的是在半导体器件中，门极与漏极之间存储的电荷量，是分析开关性能和效率的关键参数。该术语的中文可译为“闸门排水充注”，主要用于描述功率器件（如MOSFET）的瞬态特性。
Gate-Drain Charge具体释义
Gate-Drain Charge的英文发音
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