MIS:金属绝缘体半导体
“金属-绝缘体-半导体”(Metal-Insulator-Semiconductor,常缩写为MIS)是一种在电子学和半导体物理中广泛使用的基础结构。这种结构由金属层、绝缘层和半导体层依次堆叠构成,是场效应晶体管和多种传感器件的关键组成部分。采用MIS缩写不仅便于学术文献、技术文档中的简洁表达,也有助于在相关领域高效沟通和研究讨论。
Metal Insulator Semiconductor具体释义
Metal Insulator Semiconductor的英文发音
例句
- Thermal nitridation metal insulator semiconductor
- 热氮化式金属绝缘体半导体(MIS)结构
- Complementary metal insulator semiconductor
- 互补型金属绝缘体半导体(MIS)结构
- The dielectric and interface characteristics of STO with a metal insulator semiconductor ( MIS ) structure were investigated.
- 研究了STO薄膜金属绝缘体半导体(MIS)(MIS)结构的介电和界面特性。
- Its structure is the same as a conventional metal insulator semiconductor field effect transistor ( MISFET ).
- 它的结构与普通金属绝缘体半导体(MIS)场效应晶体管(MISFET)基本相同。
- In order to improve the performance of the metal ferroelectric insulator semiconductor ( MFIS ) device, SBT ferroelectric films with good anti fatigue property is used, and ZrO 2 film is employed as the buffer layer to overcome the charge injection effect.
- 制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。
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