NV：氮气空位

“氮空位”（Nitrogen Vacancy，简称NV）是物理学和材料科学中常见的重要概念，它指的是金刚石晶格中一个碳原子被氮原子取代，同时邻近位置出现空位的点缺陷结构。由于该结构具有独特的量子性质，如电子自旋可被光探测与操控，因此被广泛应用于量子计算、高精度传感和基础物理研究。为便于书写和学术交流，通常将其缩写为NV。

Nitrogen Vacancy具体释义

  • 英文缩写：NV
  • 英语全称：Nitrogen Vacancy
  • 中文意思：氮气空位
  • 中文拼音：dàn qì kòng wèi
  • 相关领域： nv 物理学

Nitrogen Vacancy的英文发音

例句

  1. At the same time, in the subsurface of the silicon wafer, the nitrogen and vacancy concentration is much lower, hence, no oxygen precipitate is formed in the zone, which is so-called denuded zone.
  2. 而在硅片近表面区域，由于外扩散导致空位的浓度很低，使得氧沉淀无法形成，从而形成洁净区。
  3. When the boron ( nitrogen ) - vacancy complex defects locate on the edge of the zigzag graphene nanoribbon, these complex defects have changed the electronic and optical properties of the graphene nanoribbons distinctly.
  4. 对于硼（氮）空位复合缺陷位于边缘的锯齿型石墨烯纳米带，这些复合缺陷很明显地改变了石墨烯纳米带的电子学和光学性能。
  5. The boron ( nitrogen ) - vacancy complex defects near the edge of the graphene nanoribbon affect the geometry and electronic structures of the graphene nanoribbon distinctly.
  6. 对于邻近石墨烯纳米带边缘的硼（氮）空位复合缺陷结构对石墨烯纳米带的几何结构和能带结构有较大影响。
  7. When the vacancy and nitrogen coexist in the silicon, once the vacancy concentration is high while the nitrogen concentration is low, the enhancement of vacancy is superior to that of nitrogen on oxygen precipitation;
  8. 当空位和氮同时存在时，若空位浓度较高而氮浓度较低，则以空位对氧沉淀的促进作用为主。

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