PSII：等离子体源离子注入

“等离子体源离子注入”是一种在电子及半导体等科技领域广泛应用的工艺技术，其英文全称为“Plasma Source Ion Implantation”，在学术文献和工程应用中常被简写为PSII，以便于书写和日常交流。该技术主要用于材料表面改性、半导体掺杂等工艺环节，具有操作灵活、处理效率高等特点。

Plasma Source Ion Implantation具体释义

  • 英文缩写：PSII
  • 英语全称：Plasma Source Ion Implantation
  • 中文意思：等离子体源离子注入
  • 中文拼音：
  • 相关领域： psii 电子

Plasma Source Ion Implantation的英文发音

例句

  1. 等离子体 源 离子 注入 中 的 栅 网 阴影 效应 的 离子 动力学 PIC 模拟
  2. PICSimulationofGrid-ShadowEffectinPlasmaSourceIonImplantation
  3. 环状 样品 等离子体 源 离子 注入 过程 两 维 Particle-in-Cell 计算机 模拟
  4. Two-dimensionalParticle-in-CellSimulationofPlasmaSourceIonImplantationforLoopSample
  5. 对 等离子体 源 离子 注入 技术 在 航空 液压 泵 配 油盘 上 的 应用 进行 了 研究 。
  6. Theapplicationofplasmasourceionimplantationtechniquetotheoildistributingdiskofaeronauticalhydraulicpumpwasstudied.
  7. 本文 叙述 了 辉光 放电 等离子体 源 的 等离子体 源 离子 注入 。
  8. Inthispaper,aglowdischargeplasmasourceionimplantationtechniqueisdescribed.
  9. 近年 来 ， 等离子体 源 离子 注入 （ PSII ） 在 改善 材料 表面 性能 方面 得到 了 广泛 应用 。
  10. Recentlyplasmasourceionimplantation(PSII)hasbeenwidelyappliedtomodifythesurfacepropertiesofmaterials.

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