TD:热施主
在半导体物理学和材料科学等电子相关学术领域,Thermal Donor(常缩写为TD)是一个常用术语。该术语的中文译名为“热施主”,用于描述在热处理过程中于半导体材料内部形成的一种特殊施主型缺陷中心。缩写形式TD被广泛采用,既便于快速书写和记录,也有助于提升专业文献与技术交流的效率。
Thermal Donor的英文发音
例句
- Study of Low Temperature Far Infrared Absorption Spectrum on Thermal Donor(TD) and Shallow Thermal Donor(TD) in Nitrogen-Doped Silicon
- 微氮硅中热施主(TD)和浅热施主(TD)的低温远红外研究
- The oxygen-related thermal donor can also be possibly understood as doubly charged donor.
- 利用类氢模型和有效质量理论拟会和计算,可以证明与氧有关的热施主(TD)很可能是双重电荷施主。
- The results of shallow impurity P and thermal donor as well as deep im-purity Pd in Si using this method are consistent with those reported in the literatures.
- 首次将导纳谱方法用于Si中浅杂质P、深杂质Pd和热施主(TD)的测量,得到了和其它文献一致的结果。
- The electronic structure of thermal donor in annealed silicon
- 硅中热施主(TD)的电子结构
- Influence of Group ⅲ and Group ⅴ Impurities on Thermal Donor(TD) Properties in Silicon
- Ⅲ、Ⅴ族杂质对硅中热施主(TD)性质的影响
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