HEMT：高电子迁移率晶体管

高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，简称HEMT）是一种广泛应用于电子和半导体领域的重要器件。它通过特殊的异质结构设计，实现了较高的电子迁移率与载流子浓度，因此在高频、高速应用场景中表现优异。在学术论文、技术文档中常使用缩写“HEMT”，以便于书写和快速交流。

High Electron Mobility Transistor具体释义

  • 英文缩写：HEMT
  • 英语全称：High Electron Mobility Transistor
  • 中文意思：高电子迁移率晶体管
  • 中文拼音：gāo diàn zǐ qiān yí lǜ jīng tǐ guǎn
  • 相关领域： hemt 电子

High Electron Mobility Transistor的英文发音

例句

  1. High electron mobility transistor
  2. 高电子迁移率晶体管(HEMT)
  3. Based on the charge control theory, an accurate analytical model for the dc I V characteristics and small signal parameters of an AlGaN / GaN high electron mobility transistor ( HEMT ) is developed considering the effects of polarization and parasitic source drain resistances.
  4. 基于电荷控制理论，考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响，建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)直流IV特性和小信号参数的解析模型。
  5. High electron mobility transistors ( High Electron MobilityTransistor ) as a field-effect transistor, have been widely used in communications, electronics and other fields, it has the characteristics of high-power, low-noise, high-frequency, high-speed.
  6. 而高电子迁移率晶体管(HEMT)（HighElectronMobilityTransistor）作为场效应晶体管中的一种，也开始广泛应用于通信、电子等领域，它具有大功率、低噪声、高频、高速等特点。
  7. The PHEMT ( pseudomorphic high electron mobility transistor ) device has outstanding high-frequency characteristics, power characteristics and low-noise characteristics, and it is one of the most competitions in the field of microwave and millimeter-wave monolithic integrated circuits.
  8. PHEMT（赝匹配型高电子迁移率管）器件具有优异的高频特性、功率特性和低噪声特性，使之成为微波/毫米波单片集成电路领域中最有竞争力的有源器件之一。
  9. Development of Ka-Band High Electron Mobility Transistor(HEMT)
  10. Ka波段高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制

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