NTD：中子嬗变掺杂

中子嬗变掺杂（Neutron Transmutation Doping，简称NTD）是半导体材料掺杂的一种重要技术，常见于电子与材料科学领域。该缩写形式便于学术交流与文献书写，能够有效简化专业术语的表达，同时保持技术内容的准确性。

Neutron Transmutation Doping具体释义

  • 英文缩写：NTD
  • 英语全称：Neutron Transmutation Doping
  • 中文意思：中子嬗变掺杂
  • 中文拼音：zhōng zǐ shàn biàn chān zá
  • 相关领域： ntd 电子

Neutron Transmutation Doping的英文发音

例句

  1. Neutron transmutation doping of monocrystalline silicon
  2. 单晶硅中子嬗变掺杂(NTD)技术
  3. In this article according to theory and technology of neutron transmutation doping, the factors ( hitting percentage and cross section uniformity ) which influence the percentage of finished product of FZ NTD silicon are analysed.
  4. 本文根据中子嬗变掺杂(NTD)的原理、工艺，着重分析了影响NTD硅成品率的因素：命中率及断面均匀性。
  5. High precision trace neutron transmutation doping of DETECTOR-GRADE high resistance zone-refined silicon mono-crystal
  6. 探测器级特高阻区熔硅单晶的高精度微量中子嬗变掺杂(NTD)
  7. Calculating of neutron transmutation doping for silicon in SPRR - 300
  8. 300反应堆单晶硅中子嬗变掺杂(NTD)计算
  9. Neutron - transmutation doping for InP material
  10. 磷化铟材料的中子嬗变掺杂(NTD)

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