HBT:异质结双极晶体管
“异质结双极晶体管”的英文全称为 Heterojunction Bipolar Transistor,在学术和电子工程领域,为书写和使用方便,常缩写为 HBT。该器件因具有高频、高效率等优良特性,广泛应用于射频通信、高速集成电路等场景。
Heterojunction Bipolar Transistor具体释义
Heterojunction Bipolar Transistor的英文发音
例句
- 报道 了 Si-SiGe-Si 异质 结 双极 晶体管 的 数字 模拟 结果 。
- InthispaperwereporttheresultsobtainedfromnumericalsimulationofSi-SiGe-Siheterojunctionbipolartransistor.
- 对 适用 于 单片 集成 的 DHBT ( 双 异质 结 双极 晶体管 ) 的 能 带 结构 与 结 电流 进行 分析 和 研究 。
- TheDHBT(doubleheterojunctionbipolartransistor)usedformonolithicintegratedphotoreceiverisanalysed.
- 本文 主要 关注 氮化物 基 异质 结 双极 晶体管 ( HBT ) 及其 相关 技术 。
- Inthispaper,nitride-basedheterojunctionbipolartransistor(HBT)andrelatedtechniquesarediscussed.
- 异质 结 双极 晶体管 ( heterojunction bipolar transistor 简称 HBT ) 是 异质 结 电子 器件 重要 的 一 种 。
- HeterojunctionBipolarTransistor(HBT)isoneofimportantheterojunctionelectronicsdevices.
- 研究 了 一 种 采用 新 的 T 型 发射 极 技术 的 自 对准 InP/GaInAs 单 异质 结 双极 晶体管 。
- Aself-alignedInP/GaInAssingleheterojunctionbipolartransistor(HBT)isinvestigatedusinganovelT-shapedemitter.
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