ODBR：反向掺杂埋区

“Oppositely Doped Buried Regions”常被缩写为ODBR，这种简写方式便于快速书写和日常使用。该术语多见于综合性科技领域，尤其在半导体材料或器件相关的未分类技术文档中。其中文含义为“反向掺杂埋区”，通常指代通过向衬底注入与表层掺杂类型相反的杂质所形成的隔离区域。

Oppositely Doped Buried Regions具体释义

  • 英文缩写：ODBR
  • 英语全称：Oppositely Doped Buried Regions
  • 中文意思：反向掺杂埋区
  • 中文拼音：fǎn xiàng chān zá mái qū
  • 相关领域： odbr 未分类的

Oppositely Doped Buried Regions的英文发音

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