SGD：源闸排水

“源极、栅极、漏极”（Source Gate Drain，简称SGD）是场效应晶体管（FET）中的三个关键电极，广泛应用于电子工程和集成电路设计领域。为了书写和表达上的便捷，常将其缩写为SGD。这一术语在半导体技术文档及学术讨论中十分常见，有助于简化技术交流，提高专业沟通的效率。

Source Gate Drain具体释义

  • 英文缩写：SGD
  • 英语全称：Source Gate Drain
  • 中文意思：源闸排水
  • 中文拼音：yuán zhá pái shuǐ
  • 相关领域： sgd 未分类的

Source Gate Drain的英文发音

例句

  1. The asymmetry isolation layer between the source / drain electrodes and the gate used in the experiment results in asymmetric mod-ulation of gate electrostatic field to source electrode and drain electrode. Therefore solo gate electrostatic field modulation to the drain electrode is realized.
  2. 实验中采用了源/漏电极不对称的绝缘层结构，使得门电压对源漏两极的电场调制也不对称，从而实现了对漏电极的门电压调制。
  3. From the quoted equation for the current between source and drain Ids of the sub-threshold MOSFET, the expression for the voltage between gate and source drain Vgs of the sub-threshold MOSFET is directly got and the temperature characteristic of Vgs is theoretically analyzed.
  4. 直接从亚阈值MOSFET漏源电流（即亚阈值电流）的方程中，得到亚阈值MOSFET栅源电压表达式，并分析其温度特性。

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