MOS：金属氧化物硅

“金属氧化物硅”（Metal Oxide Silicon，常缩写为MOS）是一种广泛应用于电子、半导体及材料科学领域的术语。该缩写形式的使用，不仅便于快速书写与交流，也在学术文献和行业实践中得到了普遍认可。MOS结构通常指由金属层、氧化物绝缘层和硅基底组成的经典三层构造，是制造场效应晶体管等半导体器件的关键组成部分。这一简称在综合技术讨论中频繁出现，尤其在与未明确分类的半导体材料或器件相关的内容中十分常见。

Metal Oxide Silicon具体释义

  • 英文缩写：MOS
  • 英语全称：Metal Oxide Silicon
  • 中文意思：金属氧化物硅
  • 中文拼音：jīn shǔ yǎng huà wù guī
  • 相关领域： mos 未分类的

Metal Oxide Silicon的英文发音

例句

  1. Followed the mentioned tests above, the theoretical coke ratio of Nanjing Steel blast furnace, sulfur burden, alkali metal oxide equalization and the impacting on silicon content of hot metal were analyzed.
  2. 另外还对南钢高炉的理论焦比、硫负荷和碱平衡进行了计算，分析其对高炉铁水硅含量影响情况。
  3. For anode film, the main attention is paid to the substitutes of lithium metal, such as nitride, oxide of tin metal and amorphous silicon thin-film, in order to gain better cyclic capability.
  4. 阳极膜方面以对锂金属替代物的研究为主，比如锡的氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循环效能的提高。

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