Hfe：晶体管增益

“晶体管增益”（Transistor Gain）是电子工程与半导体物理学中的重要参数，常被缩写为Hfe以便在电路设计、学术论文和技术文档中快速书写与引用。这一参数用于描述双极型晶体管（BJT）的电流放大能力，广泛应用于放大器、开关电路等电子设备的设计与分析中。

Transistor Gain具体释义

  • 英文缩写：Hfe
  • 英语全称：Transistor Gain
  • 中文意思：晶体管增益
  • 中文拼音：jīng tǐ guǎn zēng yì
  • 相关领域： hfe 电子

Transistor Gain的英文发音

例句

  1. As the CMOS technology keeps scaling down, more and more design difficulties are raised for precise or highly linear analog / RF circuits, mostly due to the decreasing transistor intrinsic gain and the shrinking voltage headroom.
  2. 随着CMOS工艺中器件尺寸的不断缩小，精确的或者说高线性的模拟／射频电路面临着越来越多的设计困难，这主要是由晶体管本征增益的降低和可用电压空间的减小导致的。
  3. Transistor matched power gain
  4. 晶体管匹配功率增益
  5. Measurement on microwave transistor output power and gain
  6. 微波功率晶体管输出功率和增益测试
  7. Meanwhile, polysilicon transistor has positive temperature coefficient of current gain. The transistor has the same temperature property with bulk silicon with a smaller change of current gain when temperature is varying. 2.
  8. 多晶硅三极管的电流增益具有正温度系数，大电流下的电流增益随温度的变化比小电流情况小，该三极管具有和体硅相同的温度特性。
  9. It is shown that the new transistor has more uniform characteristics of current gain at low current level, and an excellent low-frequency noise figure, so that it is a promising low noise device at low frequency with simpler processes.
  10. 实验结果表明，漂洗发射极晶体管的小电流增益均匀性好，具有良好的低频噪声特性，是一种工艺比较简化，性能较好的低频低噪声器件。

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