RLI：抗蚀光刻

“Resist Lithography”（常缩写为RLI）是一种在电子和半导体制造等领域广泛使用的微纳加工技术，主要用于在基板上形成精细的电路图案。其核心工艺涉及在基板表面涂覆光刻胶，并通过曝光和显影等步骤，实现图形的精确转移。由于“Resist Lithography”术语较长，在学术和工程文献中常简写为RLI，便于快速书写和交流。中文通常译为“抗蚀光刻”或“光刻胶光刻”，突出了该技术中光刻胶的抗蚀刻特性。

Resist LIthography具体释义

  • 英文缩写：RLI
  • 英语全称：Resist LIthography
  • 中文意思：抗蚀光刻
  • 中文拼音：kàng shí guāng kè
  • 相关领域： rli 电子

Resist LIthography的英文发音

例句

  1. Research of SU-8 Resist Lithography Using Ultraviolet Laser
  2. 紫外激光曝光光刻SU-8胶的工艺研究
  3. The simulation results show that the development profile of thick resist based on new exposure model is consistent with the experimental result, and the imaging mechanism of thick resist lithography is discussed.
  4. 模拟显示，用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好；并对厚胶光刻成像机理进行了讨论。
  5. So its experiment process is different from that of traditional lithography technique and there are many complicated factors affecting the imaging quality in thick resist lithography.
  6. 在这种技术中，其实验工艺与传统的薄胶光刻工艺有所区别，影响厚胶光刻成像的因素也较为复杂。
  7. Thick resist lithography is a kind of technique fabricating deep relief structures. Resist thickness used in the process usually is beyond 2 u m, even to hundred micrometers.
  8. 厚层抗蚀剂光刻是一种制作深浮雕结构的技术，所用的抗蚀剂厚度为2微米到上百个微米。
  9. So developing an appropriate thick resist exposure model is important to study the transferring mechanism of figures in the resist and develop the whole thick resist lithography technique.
  10. 因此从理论上建立适于厚抗蚀剂光刻过程模拟新的理论模型对于研究厚胶光刻图形传递机理，发展厚胶光刻术有重要的意义。

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