ISD：界面状态密度

在电子学与半导体物理学等学术科技领域，为了便于快速书写与交流，人们常将“Interface State Density”（界面状态密度）缩写为“ISD”。这一术语主要用于描述半导体器件界面处的电子态分布特性，对器件性能分析具有重要意义。

Interface State Density具体释义

  • 英文缩写：ISD
  • 英语全称：Interface State Density
  • 中文意思：界面状态密度
  • 中文拼音：jiè miàn zhuàng tài mì dù
  • 相关领域： isd 电子

Interface State Density的英文发音

例句

  1. An effective way of decreasing bulk electron trap density and interface state density is put forward.
  2. 提出降低体电子陷阱密度和界面态密度的有效途径。
  3. The effect of interface state charges on the threshold voltage, drain current, transconductance and field-effect mobility of n-channel SiC MOSFET is analyzed with numerical method by establishing the model of the interface state density exponential distribution.
  4. 建立界面态密度的指数分布模型，用数值方法较为详细的分析了界面态电荷对n沟MOSFET器件阈值，漏电流，跨导和场效应迁移率的影响。
  5. The effect of interface state charges on the field effect mobility of n channel 6H SiC MOSFET is analyzed based on the nonuniform distribution of interface state density in the energy gap.
  6. 针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响。
  7. A Direct Display Method for Measuring MOS Interface State Density(ISD) Distribution
  8. MOS系统界面态密度分布的一种直接显示法
  9. In this paper the series resistance for silicon MIS / IL solar cells related with the thickness of evaporated SiO coating, the fixed positive charge density in the coating and the interface state density has been indicated.
  10. 本文讨论了MIS/IL太阳电池的串联电阻与蒸发SiO膜厚度、膜中的固定正电荷密度、界面态密度之间的关系。

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