BE：带边

Band Edge（缩写为BE）是电子物理和材料科学领域的常用术语，中文意为“带边”。该缩写被广泛用于学术论文、技术文档和日常交流中，既能简化书写流程，又能提高信息传递效率。尤其在半导体、能带理论等研究中，BE用于描述能带结构的关键边界位置，是分析电子行为与材料光电特性的重要概念。

Band Edge具体释义

  • 英文缩写：BE
  • 英语全称：Band Edge
  • 中文意思：带边
  • 中文拼音：dài biān
  • 相关领域： be 电子

Band Edge的英文发音

例句

  1. Now you have been in and out of the photonic band edge for several years, to2000, will complete the entry into the photon belt, and in the future has been in the2000.
  2. 你们现在已进出于这条光子带的边缘有数年之久，到2000年，将完全进入光子带，并在将来的2000年中一直处于其中。
  3. A research on the design of multi-raschel lace band edge technology
  4. 多梳拉舍尔条带花边边部工艺设计探讨
  5. The upshift of valence band edge and the downshift of conduction band edge under tensile strain are responsible for that.
  6. 这是因为外加伸展应力使得矽的价电带往上移动以及导电带向下移动造成。
  7. Due to the quantum effects, the first subband is higher than the conduction band edge.
  8. 由于量子束缚效应的存在，第一个子带高于导带底，因此源漏端的势垒高度提高，载流子密度降低，漏电流降低。
  9. Placing the atom in photonic band gap reservoir, we study the influence of band gap and detuning of driving field on individual spectrum lines for the different upper band edge positions.
  10. 将原子置入光子带隙热库中，针对上带隙边缘处于不同位置所对应的三种跃迁情况，研究了光子带隙和外加场失谐对分立谱线的影响。

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