MOCVD:金属有机化学气相沉积
金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)是一种在电子和半导体领域广泛应用的材料制备技术。该术语在学术与科研文献中常使用缩写MOCVD,不仅便于书写和交流,也有助于提高专业文献的阅读与传播效率。这一工艺主要用于生长高质量的化合物半导体薄膜,是光电子器件和集成电路制造中的关键技术之一。
Metal Organic Chemical Vapor Deposition具体释义
Metal Organic Chemical Vapor Deposition的英文发音
例句
- A novel high reflectivity type of semiconductor saturable absorption mirror grown by metal organic chemical vapor deposition is presented.
- 利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜。
- Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) ( MOCVD ) is a key technology in growing thin-films.
- 金属有机化学气相沉积(MOCVD)(OCVD)一门制备薄膜材料的关键技术。
- Based on the analysis of energy loss in a laser diode, we optimize the structure of the laser diode and metal organic chemical vapor deposition ( MOCVD ) growth condition.
- 针对半导体激光器的能量损耗情况,设计优化了半导体激光器的结构,改进了材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)(MOCVD)生长条件。
- Template growth of gallium nitride nanowires was demonstrated by metal organic chemical vapor deposition ( MOCVD ) with carbon nanotubes as templates in this paper.
- 通过金属有机物化学气相沉积方法在碳纳米管模板上生长氮化镓纳米线束。
- Separate confinement heterostructure strained single quantum well materials were grown by the technology of metal organic chemical vapor deposition ( MOCVD ).
- 气相淀积(MOCVD)技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料。
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