LOCOS：硅的局部氧化

“LOCal Oxidation Of Silicon”常缩写为LOCOS，这一术语广泛应用于电子学等学术与科技领域，用于指代集成电路制造中对硅片表面进行选择性氧化的关键工艺。其中文译名为“硅的局部氧化”，使用缩写形式便于书写、交流和提高专业文献中的表达效率。

LOCal Oxidation Of Silicon具体释义

  • 英文缩写：LOCOS
  • 英语全称：LOCal Oxidation Of Silicon
  • 中文意思：硅的局部氧化
  • 中文拼音：guī de jú bù yǎng huà
  • 相关领域： locos 电子

LOCal Oxidation Of Silicon的英文发音

例句

  1. Local oxidation of silicon on sapphire
  2. 蓝宝石上硅局部氧化
  3. Nanometer scale Patterning Fabricated by Selecting Local Oxidation of Silicon Surface Using Scanning Tunneling Microscope
  4. STM选择局部氧化硅表面构造纳米结构图形的研究

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