RIE：反应离子刻蚀

“反应离子刻蚀”是一种常用于微电子和半导体制造工艺的干法刻蚀技术，其英文全称为“Reactive Ion Etching”，通常缩写为RIE。在科研文献和工程应用中，为便于书写与交流，学者和技术人员普遍使用该缩写形式。该技术通过利用化学反应与离子轰击相结合的方式，实现对材料的高精度、各向异性刻蚀，在集成电路和微纳器件加工中具有重要价值。

Reactive Ion Etching具体释义

  • 英文缩写：RIE
  • 英语全称：Reactive Ion Etching
  • 中文意思：反应离子刻蚀
  • 中文拼音：fǎn yìng lí zǐ kè shí
  • 相关领域： rie 电子

Reactive Ion Etching的英文发音

例句

  1. An Investigation of Reactive Ion Etching(RIE) for Through Silicon Via Packaging Technology
  2. 反应离子刻蚀(RIE)在穿透硅通孔封装技术中的应用研究
  3. Inductively coupled plasma reactive ion etching of InSb photovoltaic detector arrays
  4. InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究
  5. Study on fabrication of silicon-based photon crystal slab with lithography and reactive ion etching is carried out.
  6. 用光刻和反应离子刻蚀(RIE)的方法对硅材料光子晶体板的制作进行了研究。
  7. Reactive ion etching of polysilicon using SF6 + Ar reactive gas is investigated.
  8. 本文对以SF6+Ar为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)（RIE）多晶硅工艺进行了研究。
  9. CH_4 / H_2 mixtures can be used for reactive ion etching of InP at room temperature.
  10. CH4/H1混合气可以在室温下对InP进行反应离子腐蚀。

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