DCVD：介质化学气相沉积

介质化学气相沉积（Dielectric Chemical Vapor Deposition，简称DCVD）是一种广泛应用于学术科研与电子工业领域的关键工艺技术。该英文术语常被简写为DCVD，以便于快速书写和技术交流。该技术主要用于半导体及微电子器件制造过程中，通过在衬底表面沉积绝缘介质薄膜，实现对器件性能的精确调控。

Dielectric Chemical Vapor Deposition具体释义

  • 英文缩写：DCVD
  • 英语全称：Dielectric Chemical Vapor Deposition
  • 中文意思：介质化学气相沉积
  • 中文拼音：jiè zhì huà xué qì xiāng chén jī
  • 相关领域： dcvd 电子

Dielectric Chemical Vapor Deposition的英文发音

例句

  1. The paper put forward an aim to deposit titanium films and TiO_2 / SnO_2 : F multiple films prepared by the method of dielectric barrier discharge atmospheric pressure chemical vapor deposition ( DBD-CVD ).
  2. 提出以介质阻挡放电化学气相沉积法（DBD-CVD）制备TiO2单层薄膜和TiO2/SnO2：F复合薄膜的实验目标。
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