GOI：栅氧化完整性

在电子与半导体等学术与科学领域中，为了书写和使用的便捷性，“Gate Oxide Integrity”这一专业术语常被缩写为GOI。它指的是“栅氧化完整性”，用于描述栅氧化层的质量与可靠性，是评估半导体器件性能的关键技术指标之一。

Gate Oxide Integrity具体释义

  • 英文缩写：GOI
  • 英语全称：Gate Oxide Integrity
  • 中文意思：栅氧化完整性
  • 中文拼音：zhà yǎng huà wán zhěng xìng
  • 相关领域： goi 电子

Gate Oxide Integrity的英文发音

例句

  1. The most important defect in large size ingots is void, which can degrade the gate oxide integrity ( GOI ), so as to affect the yields and stability of devices and 1C.
  2. 大直径硅单晶、硅片中的最重要的缺陷之一是VOID，它会严重影响硅器件、集成电路的生产成品率和性能稳定性。

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