ALGAN:氮化铝镓
氮化铝镓(Aluminum Gallium Nitride)是一种在电子和半导体领域广泛应用的化合物半导体材料。为了书写和使用的便捷,学术界和工程领域常将其缩写为AlGaN。该材料因其优异的物理和化学特性,常被用于制造高频、高温电子器件,例如高电子迁移率晶体管(HEMT)以及紫外光电器件。其名称的直译即为“氮化铝镓”,体现了其由铝、镓和氮三种元素组成的晶体结构特点。
Aluminum Gallium Nitride具体释义
Aluminum Gallium Nitride的英文发音
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