FRAM：铁电随机存取存储器

“铁电随机存取存储器”是一种重要的半导体存储技术，在电子工程与学术科研领域应用广泛。其英文全称为“Ferroelectric Random Access Memory”，为便于书写和交流，常使用缩写“FRAM”来指代。这种非易失性存储器结合了RAM的高速读写特性与Flash存储器的数据保持能力，在物联网、工业控制等场景中展现出独特优势。

Ferroelectric Random Access Memory具体释义

  • 英文缩写：FRAM
  • 英语全称：Ferroelectric Random Access Memory
  • 中文意思：铁电随机存取存储器
  • 中文拼音：tiě diàn suí jī cún qǔ cún chǔ qì
  • 相关领域： fram 电子

Ferroelectric Random Access Memory的英文发音

例句

  1. Ferroelectric Films and Ferroelectric Random Access Memory(FRAM)
  2. 铁电薄膜及铁电存储器研究
  3. Implementation of a Ferroelectric Capacitor in Ferroelectric Random Access Memory(FRAM)
  4. 铁电电容模型及其在铁电存储器中的应用
  5. The data storage principle and applications in other relative trades of a new nonvolatile ferroelectric random access memory ( FRAM ), which has the characteristic of anti-HEMP ( high electromagnetic pulse ) and will not lose information or data when power off, are introduced in this paper.
  6. 介绍了一种新型非易失性存储器（FRAM）的数据存储原理、特性及其在相关行业的应用。
  7. BIT-based ferroelectric thin films have excellent ferroelectric / dielectric properties and promising application prospect in non-volatile random access memory.
  8. 钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能，在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景。
  9. Researchers now put more focus on non-volatile memory device, such as magnetic memory device, ferroelectric memory device, phase-transition memory device, and resistance random access memory.
  10. 目前，研究者们更多的把关注的重点放在了新型非易失性存储器上，例如磁存储器、铁电存储器、相变存储器、电阻存储器。

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