MOS：金属氧化物半导体

“Metal-Oxide-Semiconductor”通常缩写为MOS，这一简称在书写和使用时更为便捷，特别在计算机硬件领域中应用广泛。其完整的中文含义是“金属氧化物半导体”，是现代微电子技术中一种基础的器件结构类型。

Metal-Oxide-Semiconductor具体释义

  • 英文缩写：MOS
  • 英语全称：Metal-Oxide-Semiconductor
  • 中文意思：金属氧化物半导体
  • 中文拼音：jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ
  • 相关领域： mos 硬件

Metal-Oxide-Semiconductor的英文发音

例句

  1. An efficient, self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor ( MOSFET ).
  2. 用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法，对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管&MOSFET的电特性进行了模拟。
  3. CMOS image sensor is a manufactured image sensor using CMOS ( Complementary Metal-oxide-semiconductor ) technology.
  4. CMOS图像传感器是一种采用CMOS（ComplementaryMetal-oxide-semiconductor，互补金属氧化物半导体(MOS)）工艺制造的图像传感器。
  5. A 2-D charge threshold voltage model of double-diffusion metal-oxide-semiconductor ( DMOS ) device is proposed in the paper.
  6. 提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型。
  7. The Tight-Binding Method is adopted to investigate the I-V characteristics of a three-terminal single-benzene molecular device, with the results well reflecting the electrical characteristics of MOS ( Metal-Oxide-Semiconductor(MOS) ) devices.
  8. 采用紧束缚近似法对由单苯基分子构成的三端器件的IV特性进行了研究，所得结果近似表现出了MOS（MetalOxideSemiconductor）器件的电学规律；
  9. In order to implement an analog-to-digital converter ( ADC ) with pipeline structure of 10-bit high performance and low power dissipation, a design method based on 0.6 μ m complementary metal-oxide-semiconductor ( CMOS ) mixed signal technology was proposed.
  10. 为了实现10位高性能和低功耗的流水线模拟数字转换器ADC，提出了基于0.6微米互补型金属氧化物半导体(MOS)（CMOS）混合信号工艺的电路设计方法。

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