IBE：离子束刻蚀

离子束刻蚀（Ion Beam Etching，简称IBE）是一种利用高能离子束对材料表面进行精细加工的技术。该技术广泛应用于半导体制造、微电子及纳米科学等学术与工业领域，能够实现高精度、高选择性的刻蚀效果。采用英文缩写“IBE”有助于在专业文献和技术交流中实现高效、简洁的表达。

Ion Beam Etching具体释义

  • 英文缩写：IBE
  • 英语全称：Ion Beam Etching
  • 中文意思：离子束刻蚀
  • 中文拼音：lí zǐ shù kè shí
  • 相关领域： ibe 电子

Ion Beam Etching的英文发音

例句

  1. Si concave microlenses array Ar ion beam etching.
  2. 标签Si凹微透镜阵列氩离子束刻蚀(IBE)。
  3. The16-step Fresnel lens had been fabricated by thin film deposition and ion beam etching and it has been used in refractive-diffractive CCD camera.
  4. 使用薄膜沉积法和离子束刻蚀(IBE)法制作16阶菲涅耳透镜，应用于折衍混合CCD相机。
  5. Study on step sidewall tilt in ion beam etching of Fresnel lens
  6. 离子束刻蚀(IBE)过程中台阶侧壁倾斜现象研究
  7. Acceptable Error of Etching Depth in Ion Beam Etching(IBE) Microlens
  8. 离子束蚀刻微透镜中蚀刻深度允许误差的研究
  9. Fabrication of 128 × 128 Area Silicon Field Emission Arrays Using Ar Ion Beam Etching(IBE)
  10. 128×128元硅场发射阵列的氩离子束刻蚀(IBE)制作

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