SFD:叠加断层密度
“堆垛层错密度”(Stacking Fault Density)在学术及电子材料研究领域常缩写为SFD,以简化书写与交流过程。该术语用于描述晶体材料内部的缺陷结构特性,其缩写形式被广泛使用,有助于提升文献撰写及专业讨论的效率。
Stacking Fault Density具体释义
Stacking Fault Density的英文发音
例句
- With an increase in the amount of Fe catalyst, the average crystallite size of the SiC particles increased, whereas the stacking fault density and the surface area decreased.
- 而使用Fe催化剂制成的干凝胶则可形成-βSiC。此外,随着Fe用量的增加,-βSiC的颗粒尺寸和平均晶粒度增加,而堆积缺陷密度和比表面积则减小。
- Reduction of Stacking Fault Density(SFD) in Cubic GaN Epilayers via Epitaxial Lateral Overgrowth
- 用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度
- Sub-structure of low carbon lath martensite is high density dislocation and stacking fault. high carbon martensite sub-structure is high density dislocation and a large amount twin crystal.
- 低碳板条状马氏体的亚结构为高密度位错+层错;高碳马氏体亚结构为高密度位错和大量精细孪晶。
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