BESOI：在绝缘体上粘合和蚀刻硅

“Bond And Etchback Silicon On Insulator” 通常简写为 BESOI，这一缩写形式便于在写作和使用时快速、高效地表达。该术语多见于综合性科技领域，尤其在半导体与微电子相关的未分类技术讨论中。其对应的中文释义为“在绝缘体上粘合和蚀刻硅”，指的是一种通过在绝缘衬底上依次进行键合和背面蚀刻工艺来制备硅基材料的技术方法。

Bond And Etchback Silicon On Insulator具体释义

  • 英文缩写：BESOI
  • 英语全称：Bond And Etchback Silicon On Insulator
  • 中文意思：在绝缘体上粘合和蚀刻硅
  • 中文拼音：zài jué yuán tǐ shàng nián hé hé shí kè guī
  • 相关领域： besoi 未分类的

Bond And Etchback Silicon On Insulator的英文发音

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