MOS:硅上金属
“金属-硅”(Metal On Silicon)在学术研究与电子工程领域被广泛简称为MOS,这一缩写极大地提升了专业文献与技术文档的书写与使用效率。该术语形象地描述了金属材料沉积于硅基底之上的结构特征,是半导体器件制造中的基础工艺之一。
Metal On Silicon的英文发音
例句
- This paper introduces the effect of reaction at static state and che influence of slags composition, temperature of slags and hot metal on silicon transmission in the blast furnace.
- 本文介绍渣&铁之间静止状态下的反应对高炉内硅迁移曲作用及炉渣成份和渣铁湿度对硅迁移的影响。
- Formation of La, Ce and Nd Rare Earth Metal Silicides on Silicon
- La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成
- The impurity of iron is one major heavy metal contamination on the silicon wafer. Surface photo voltage method ( SPV ) can be used to accurately measure the iron contamination within the silicon wafer.
- 铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污,表面光电压(SPV)法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。
- The measures taken by plating a thin metal layer on the silicon or the porcelain, which has a small temperature coefficient and nicer insulation, and adopting the protecting ring can eliminate the effect on the stability of the sensor structure by above factors.
- 在石英或陶瓷等温度系数小、绝缘性好的非金属材料上镀一温度系数较小的薄层金属作为极板,同时采用带有保护环的结构便可减小上述三个因素对传感器结构稳定性的影响。
- Influence of metal powder on properties of silicon carbon
- 金属微粉对碳化硅材料性能的影响
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