SIDP:溅射离子深度剖面
“Sputter Ion Depth Profiling”通常缩写为SIDP,这一简称在学术和科研领域,特别是电子材料分析中广泛应用,旨在方便书写和快速交流。其对应的中文术语是“溅射离子深度剖面”,这是一种通过离子束溅射技术逐层分析材料表面成分与结构的重要表征方法,在薄膜研究和半导体工艺中尤为关键。
Sputter Ion Depth Profiling具体释义
Sputter Ion Depth Profiling的英文发音
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