Vdd：漏极间电压（晶体管）

在电子工程和半导体物理学领域，“Voltage Drain-to-Drain (transistors)”通常简写为Vdd，以方便书写和技术文档中的高频使用。该术语特指场效应晶体管（FET）中两个漏极端之间的电压参数，对电路设计与性能分析具有关键意义。中文常译作“漏极间电压（晶体管）”，广泛应用于学术论文、数据手册和工程实践中。

Voltage Drain-to-Drain (transistors)具体释义

  • 英文缩写：Vdd
  • 英语全称：Voltage Drain-to-Drain (transistors)
  • 中文意思：漏极间电压（晶体管）
  • 中文拼音：lòu jí jiān diàn yā jīng tǐ guǎn
  • 相关领域： vdd 电子

Voltage Drain-to-Drain (transistors)的英文发音

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