IL:干涉光刻
干涉光刻(Interference Lithography,简称IL)是一种重要的微纳加工技术,其名称在学术文献与工程应用中常缩写为IL,以方便书写和快速交流。该技术利用多束光的干涉效应在光刻胶上形成周期性纳米结构,广泛应用于光学元件制造、光子晶体研究和半导体工艺等综合科技领域,具有高分辨率、无需掩模等优点。
Interference Lithography具体释义
Interference Lithography的英文发音
例句
- Optical head supporting sub wavelength structure with UV interference lithography
- 支持亚波长结构光刻的紫外干涉光学头
- The fabrication methods of MPC include electron beam lithography with subsequent evaporation and lift-off, interference lithography with dry-etching technology etc.
- 制备金属光子晶体方法包括:电子束刻蚀结合后续剥离法、激光干涉光刻(IL)结合干刻蚀技术等。
- The limiting feature sizes of laser interference lithography were investigated by changing the variable of energy density.
- 最后在单一改变能量密度变量的条件下,对激光干涉光刻(IL)的极限尺度进行了研究。
- The results show that the method is effective and antinoise in measuring the laser interference lithography patterns.
- 测量结果证明,对于激光干涉条纹图,该方法是一种有效的测量方法并且具有较高的抗噪声性能。
- The results will be useful for the design and alignment of laser interference systems to obtain the desired patterns, in particular for laser interference lithography applications.
- 研究结果将有利于获得理想图形所需干涉系统的设计和校准,尤其在激光干涉光刻(IL)方面的应用。
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