PHEMT：高电子迁移率晶体管

“赝配高电子迁移率晶体管”是半导体技术领域的关键器件，在微波通信和高速电子应用中发挥着重要作用。为了书写和使用的便捷，其英文全称“Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor”通常缩写为PHEMT。这一术语在相关学术文献及工程实践中被广泛采用。

Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor具体释义

  • 英文缩写：PHEMT
  • 英语全称：Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor
  • 中文意思：高电子迁移率晶体管
  • 中文拼音：gāo diàn zǐ qiān yí lǜ jīng tǐ guǎn
  • 相关领域： phemt 电子

Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor的英文发音

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